第177章 28nm光刻机研制成功（第2页）

想要靠几百上千张研发卡，将某个项目的研发时间，从十年缩减到一个月甚至一天，绝无可能。

所以，即便在道具卡管够，资金也很充足，连供应链都全力配合的情况下，28n光刻机依然历时一年，才宣告研制成功。

与完成65n光刻机研发时的兴奋和激动相比，这一次臧教授表现得十分淡定：

“江总，我们这套光刻机，采用的是arf浸没式技术，光源波长为193n，通过在光刻过程中，引入水作为浸没介质，使光线的波长等效缩短到134n。

再结合光学系统的优化，和多重曝光等技术，可以实现28n及更先进制程的芯片制造。”

闻言，江晟心中一动：“最先进能做到多少n制程？”

“7n。”

“7n！”

江晟心中一喜，7n己经是目前最先进的制程。

莲心001采用的就是7n。

至于5n，即便是台积电，也要到明年才能实现量产。

不过，想要以28n光刻机做到7n制程，难度非常大。

事实上，此时中芯国际的主力机型，就是来自阿斯麦的28n光刻机，如sxt:1980di等。

但到目前，中芯的制程依然停留在28n，更先进的14n还处于研发验证阶段，并未实现量产，更不用说7n。

想到这里，他忍不住向臧教授询问：

“如果想用它实现7n制程，最大的难题是什么？”

臧教授眉头微皱：“虽然这套光刻机，最高能实现7n工艺，但我建议不要这样做。”

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