第177章 28nm光刻机研制成功（第3页）

“为什么？”

“因为要用28n光刻机，实现7n制程，最关键之处，在于多重曝光技术。

而多重曝光，需要将原本一层的电路，拆分成几层进行光刻，每次曝光都可能存在一定误差，曝光次数越多，累积误差就越大，最终导致良率大幅降低。

不仅如此，曝光次数越多，在每小时晶圆片数不变的情况下，晶圆产出效率越低。

这意味着，不仅产能受限，设备的使用时间，和能耗、人力等成本也会上升，再叠加良率，整个成本会大幅飙升。

另外，多重曝光需要更复杂的工艺控制和配套技术，对光刻胶的性能，以及后续的刻蚀、沉积等工艺都有更高要求，只要一个环节出问题，就会影响到量产。

我觉得，用28n光刻机，实现7n制程，完全得不偿失，与其在这上面花工夫，还不如趁早研制出14n甚至7n光刻机。

反正，研制光刻机又不难，可能7n制程还没实现，7n光刻机先出来了。”

江晟：“”

在经历65n和28n光刻机研发后，臧教授也是越来越自信了，竟然说“研制光刻机又不难”

。

不过话说回来，任何一个人站在对方角度，只需一年就能研制出新一代光刻机，都会自信心爆棚。

江晟无言以对，只得点点头，鼓励道：

“好吧，那我等你的14n或5n光刻机先出来。”

“没问题。”

臧教授一脸的当仁不让，想了想又接着说道：

“14n和28n有极大差别，28n以上属于duv深紫外光刻，而14n属于euv极紫外光。

在这一点上，我们的积累很少，包括供应商，也面临很多困难。

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