第639章 狼来了不是真香警告制约星源科技发展的关键（第3页）

毕竟谁能第一个发出视频，谁就能吃上第一波流量。

当晚八点零三分，天才大熊猫在斗音首发了一条测试视频。

短短几个小时内，播放量就突破了千万，点赞量更是超过了百万。

视频选取了湾积电、格罗方德、联华电子和星源科技这四家芯片制造工厂生产的天工A100T芯片，进行了一系列严格的测试。

在CPU性能测试中，天工A100T处理器星源科技版的跑分中达到了61637分。

第639章狼来了？不，是真香警告！

制约星源科技发展的关键！

湾积电版本58193分。

格罗方德版本56279分。

联华电子55428分。

让人出乎意料的是，星源科技的性能跑分最高，比湾积电高了6%。

在功耗方面，星源科技HFOB结构的工艺先进性更是体现得淋漓尽致。

在持续高强度运行一小时后，星源科技生产的芯片功耗稳定在4.4瓦左右，机身温度为39摄氏度。

湾积电的芯片功耗则在5.2W左右，温度达到了43摄氏度。

格罗方德和联华电子的芯片功耗更高，分别为5.6W和5.8W，机身温度也相应地达到了45摄氏度和46摄氏度。

看完测试视频的网友一脸茫然！

同一款处理器，差异有点大！

他们本以为星源科技刚成立没多久，工艺应该不成熟才对。

万万没想到，工艺水平最高的竟是星源科技！

这.不科学啊！

梁劲松见时机成熟，跟着发了一条图文格式的动态。

“星源科技在制造天工A100T处理器时，采用了一种全新的晶体管结构，内部命名为HybridFinFETonBulk架构，简称HFOB结构。

我们在不显著牺牲成本和良率的前提下，通过引入部分FinFET和Soi技术的优点，打造一个性能、功耗、密度全面超越传统28nmHKMGPlanar技术的混合工艺，即混合体硅鳍式场效应晶体管架构。

对关键逻辑路径，如CPU、GPU核心，以及高漏电单元使用FinFET结构，这能极好地控制漏电流现象，允许工作电压从0.9V降至0.7V甚至更低，从而实现巨大的功耗优势。

对RF器件、IO器件、和非关键逻辑仍使用改良版本的PlanarHKMG技术，不仅避免了为所有器件重新设计库和IP的巨大成本，还保留了模拟器件在Planar结构下的优秀性能。”

梁劲松见洋洋洒洒写了一大堆，看得网友眉头直皱。

“每一字都认识，但连在一起，却不知道是什么意思。”

“元芳呢？你怎么看？”

“回禀大人，在下只懂拳脚，不懂微电子工程技术。”

“作为一名在半导体行业深耕十年的研发人员，坦白说，我也只能看懂一部分，浅浅解读一下梁总的意思：

这款28nmHFOB架构方案的设计很大胆，它通过将部分更先进节点工艺，可能是20纳米或16纳米的FinFET技术下移到28纳米的平台中，进而创造出一个在性能、功耗和密度上全面超越经典28nmHKMG的‘超级28nm’工艺。

说得简单点，相当于把百年陈酿，兑入了今年的新酒里，看上去没啥变化，性能却提升了一大截。”

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