第318章 第四代同步辐射装置开建（第5页）

“同步辐射装置总投资大概要60亿，占地960亩，正常情况需要3-5年建成。”

吴教授带队，对整个沅江市做了考察，建设同步辐射装置完全没有问题。

这方面，其实没有太多要求。

又不是什么高层建筑，只是占地面积广而已。

对各方面要求不高，只要有足够的电力支持就行。

第四代同步辐射技术，是李易负责投资研究，第四代同步辐射装置李易投资修建。

李易建议，落户在沅江市，支持一下自己家乡，其实是没问题。

吴教授，也知道与第四代同福射装置，一并建设的，还有一个晶圆厂，以及其他配套的一些建筑！

总占地面积会超过1200亩！

在建设第四代同步辐射装置的同时，srf-fel-euv光刻厂的项目的研究依旧在继续。

在现有的同步辐射装置上进行是研究。

当第四代同步辐射装置建成，3-5年的时间，那srf-fel-euv光刻厂技术也很成熟。

基本可以直接投入到7n、5n芯片生产制造了。

如今最先进的是第三代同步辐射装置。

就算光刻厂项目的技术验证成功，要生产7n以下芯片也很难，依旧需要第四代同步辐射装置。

“预计投资250亿左右”

整个投资不算高！

这还是去掉光刻机的采购。

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