第345章 坂本的执念 － DRAM的曙光

2012年，岁末。

庐州，“神农1号”

超级晶圆厂。

无尽的黑夜，似乎永远笼罩着这座肩负着华夏自主存储梦想的孤寂堡垒。

nand

flash产线那边，虽然在“伏羲”

ai的强力介入和“神农之芯”

ai主控的“点石成金”

之下，已经能够稳定地产出一些瑕疵可控、性能尚可的128层3d

nand颗粒，勉强支撑起启明芯部分产品的内部需求和“神农s1”

固态硬盘的“搅局”

使命。

但所有人都清楚，那更多的是一种“以智补拙”

的非对称胜利，是在硬件设备和基础材料被全面限制下的无奈之举。

而真正的“皇冠上的明珠”

，那颗能够决定未来高性能计算、人工智能、乃至整个数字经济命脉的——dram（动态随机存取存储器）内存芯片，其研发与量产之路，却依旧被浓得化不开的绝望阴云所笼罩。

dram，这个被业内人士敬畏地称为“半导体制造工艺的试金石”

和“集材料、设备、设计、工艺之大成的黑科技之王”

的领域，其技术壁垒之高，制造工艺之精密，对环境要求之苛刻，远远超出了nand

flash甚至高性能逻辑芯片的范畴。

它不像nand那样可以通过增加堆叠层数来“粗暴”

地提升存储密度；

也不像cpu那样可以通过优化逻辑设计来“巧妙”

地提升性能。

dram的每一个存储单元，都由一个微乎其微的晶体管和一个更加微乎其微的、如同在硅片上垂直挖掘数十层楼深的“纳米深井”

般的沟槽电容器构成。

要在指甲盖大小的芯片上，精确地、均匀地、且性能高度一致地制造出数百亿个这样的“纳米深井”

，并确保它们能够在每秒数十亿次的高速读写中，可靠地保持电荷长达数十毫秒而不发生泄漏……

这，已经不是简单的工程技术，这简直是……在挑战物理学的极限！

是现代工业文明的“炼金术”

！

长期以来，这项“炼金术”

的核心秘诀，被高丽三星、sk海力士以及m国美光这三大寡头牢牢掌控。

他们凭借着数十年积累的、近乎“玄学”

般的工艺经验、对核心设备的优先采购权、以及对关键材料的垄断性控制，构建起了一道外人根本无法逾越的、密不透风的技术与市场壁垒。

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