第三百六十四章 百年之大变局此乃中兴之象（第3页）

曲程和秦龙依旧客客气气。

几人走进实验室，映入眼帘的就是各类设计算机，科研人员正各司其职的工作着。

“这边请。”

高正谦继续带路。

四人穿过数个工位，来到了高正谦的研发工位，这里的计算机都处于工作状态，屏幕内容也都是电路的设计图。

做为业内人士，曲程看着EDA软件参数的7纳米标识，有些不解道：“这是在设计7纳米芯片吗？”

“不是3纳米？”

秦龙目光看向陈星。

陈星同样愣了愣，不解地看向高正谦道：“新的芯片项目？”

不应该啊！

不是设计3纳米芯片吗？

这怎么回事？

面对疑问，高正谦淡然一笑，回应道：“此7纳米非彼7纳米，而是采取了多重堆叠技术，让芯片性能翻倍的尝试，严格来说的话，它是性能直逼3纳米芯片的7纳米芯片。”

“？？？”

“？？？”

在场的秦龙、曲程都懵了。

7纳米直逼3纳米芯片性能？

这怎么可能！

简直闻所未闻，听都没听说过！

但忽然，曲程想到了什么，连忙询问道：“难道这就是突破量子隧穿效应，制造出更高性能芯片的办法？”

芯片纳米制程为什么推进慢？

原因就出自“量子隧穿”

上，必须先解决它，才能造出新一代的纳米制程芯片。

那什么是量子隧穿效应？

众所周知，芯片的算力是由无数个0和1组成。

在电流通过芯片内部的晶体管，它就会给出0和1的反馈，形成基础的算力。

想要算力强劲，那芯片内部的晶体管数量自然要越多越好。

在指甲盖大小的有限面积，晶体管越多越好，这只能是把晶体管相隔的栅极做小，这也是所谓的纳米等级。

可问题来了。

栅极越小，晶体管就越近，电流是有相互吸引性的，这就可能会导致电流汇聚。

具体什么意思？

这就好比说，两股电流通过电路，本该是要产生0和1两个计算单元，结果因为晶体管栅极相隔实在太近，电流出现了交汇融合，导致只触发了0这个计算单元，1的晶体管没有电流触发，就会导致芯片算力出现混乱。

如果不解决这个问题，那就无法提升芯片纳米等级。

而世界公认的最小纳米，是5纳米，要是再往下，就会发生严重的量子遂穿效应。

……

高正谦看了眼曲程，淡淡笑道：“是的，纯3纳米制程芯片，这可不是现阶段能够设计的，还需要更高性能的EDA软件配合。”

“那就是说，我们其实在设计7纳米制程芯片？”

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