第291章 半导体提议光刻厂（第5页）

所以没必要等几年后研发出duv光刻机，再推进euv光刻机研发，这样太慢了。

相反直接立项，两代产品，两代技术，一同研发！

如此魄力，王逸都很佩服。

索性道：“euv光刻机的确困难，需要的上下游产业链太多，咱们差得很远。

但换个思路，如果euv光刻机不好做，做一个euv光刻厂……会不会容易一点？”

“euv光刻厂？”

秦主任眼睛一亮：“你详细说一说。”

王逸略微思忖，刚想开口，却被秦主任直接打断：

“王董，你稍等下，这种严密的技术性问题，我也不在行，可否让我录个视频，回去给专家院士看？”

“没问题。”

王逸摆了摆手。

“谢谢！”

秦主任和蔼一笑，当即拿出星逸xphone1，打开视频录制：“好了，王董，请继续说。”

王逸点点头：“众所周知，阿斯麦的euv光刻机之所以厉害，能做到5纳米以下的芯片制程，就是因为它能制造5纳米的极紫外光源，这种光源是未来5纳米以下制程芯片的关键。”

“而duv光刻机的深紫外光源，最多能制造10纳米芯片。

通过多重曝光技术，才能量产7纳米，5纳米。

甚至5纳米的良品率都不高，成本却不低。

至于5纳米以上的4纳米，3纳米，那更不现实，只能靠euv光刻机的极紫外光源。”

“同样，我们本质上需要的不是euv光刻机，而是5纳米的极紫外光源！”

“euv光刻机我们目前造不了，未来难度也很大。

但是我们反其道而行，通过其他方式，实现极紫外光源，也能制造出4纳米，3纳米，甚至2纳米，1纳米芯片。”

“比如我之前提到的光刻厂！”

王逸顿了顿，继续道：

“建一个光刻厂，通过粒子对撞，实现极紫外光源，然后通过光刻厂的模式，实现euv光刻机的效果。”

……

“当然，我并非半导体专业人士，以上内容只是基于我不成熟的想法，随口一说。”

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